高角度環(huán)形暗場掃描透射電子顯微鏡檢測
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發(fā)布時間:2025-03-10 10:24:42 更新時間:2025-03-09 10:24:57
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作者:中科光析科學(xué)技術(shù)研究所檢測中心

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高角度環(huán)形暗場掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)是一種基于透射電鏡(TEM)的先進成像技術(shù),通過收集高角度散射電子,實現(xiàn)對材料原子級結(jié)構(gòu)、成分及缺陷的直觀解析。其獨特的Z襯度(原子序數(shù)襯度)和亞埃級分辨率,使其成為納米材料、半導(dǎo)體、催化劑等領(lǐng)域的核心表征手段。
挑戰(zhàn) | 原因 | 應(yīng)對策略 |
---|---|---|
輻照損傷 | 高能電子束導(dǎo)致樣品結(jié)構(gòu)破壞 | 降低加速電壓(80kV)、冷凍樣品(Cryo-STEM) |
輕元素成像困難 | Z襯度對低原子序數(shù)材料(如C、N)不敏感 | 結(jié)合EELS(電子能量損失譜)進行元素分析 |
三維重構(gòu)復(fù)雜度高 | 樣品傾斜角度有限,投影數(shù)據(jù)不完整 | 雙軸傾轉(zhuǎn)臺+迭代算法(SIRT)優(yōu)化重構(gòu)精度 |
動態(tài)過程時間分辨率低 | 掃描速度限制實時觀測 | 高速探測器(CMOS)與壓縮傳感技術(shù) |
技術(shù) | 分辨率 | 成分敏感度 | 樣品要求 | 典型用途 |
---|---|---|---|---|
HAADF-STEM | 0.08-0.2nm | Z²依賴(重元素) | 超?。?lt;100nm) | 原子級結(jié)構(gòu)、界面分析 |
HRTEM | 0.1-0.2nm | 相位襯度 | 超薄、晶帶軸對準(zhǔn) | 晶體結(jié)構(gòu)、缺陷觀察 |
EDS能譜 | 1-2nm | 元素特征X射線 | 厚樣品亦可 | 元素面分布、定量分析 |
EELS | 0.1-0.5nm | 電子能量損失 | 超薄(<50nm) | 輕元素分析、化學(xué)態(tài)鑒定 |
HAADF-STEM憑借其原子級成像能力與成分敏感性,已成為材料微觀世界探索的“眼睛”。隨著球差校正技術(shù)、原位實驗平臺及人工智能算法的進步,其應(yīng)用邊界不斷拓展,從基礎(chǔ)科學(xué)到工業(yè)研發(fā)均發(fā)揮關(guān)鍵作用。未來,該技術(shù)將深度融合多模態(tài)信號(如EELS+EDS+STEM),構(gòu)建材料“結(jié)構(gòu)-成分-性能”的全息圖譜,推動新材料設(shè)計與器件優(yōu)化的革命性突破
證書編號:241520345370
證書編號:CNAS L22006
證書編號:ISO9001-2024001
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