XPS分析
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發(fā)布時間:2025-07-25 08:49:03 更新時間:2025-09-14 14:39:02
點擊:789
作者:中科光析科學技術研究所檢測中心

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X射線光電子能譜(XPS),又稱化學分析電子能譜(ESCA),是一種基于光電效應的表面分析技術,通過測量材料表面被X射線激發(fā)出的光電子能量分布,獲得元素組成、化學態(tài)及電子結構信息。
核心原理:
光電效應
檢測深度:1-10 nm(僅表征材料表層信息)
分辨率:
能量分辨率:0.1-1.0 eV
橫向空間分辨率:3-10 μm(常規(guī)模式),<1 μm(微聚焦模式)
行業(yè)領域 | 典型應用場景 |
---|---|
材料科學 | 表面涂層成分分析、腐蝕產物化學態(tài)鑒定 |
半導體 | 柵極氧化物界面研究、摻雜濃度檢測 |
催化化學 | 催化劑活性位點氧化態(tài)分析 |
生物醫(yī)學 | 生物材料表面官能團表征 |
環(huán)境科學 | 污染物表面吸附機制研究 |
國際標準
ISO 15472:2020《表面化學分析-X射線光電子能譜儀-能量標校準》
ASTM E902-05《XPS儀器性能驗證標準方法》
國家標準
GB/T 29556-2013《表面化學分析-X射線光電子能譜分析方法通則》
GB/T 35033-2018《納米材料表面元素化學態(tài)鑒定-XPS法》
行業(yè)指南
NIST數(shù)據(jù)庫(標準結合能參考值)
ISO 20903:2019《表面化學分析-定量分析中的重復性和一致性要求》
檢測范圍:除H、He外的所有元素(檢測限0.1-1.0 at%)
關鍵參數(shù):光電子峰面積、元素靈敏度因子(Scofield因子)
結合能位移(示例):
C 1s:C-C(284.8 eV)、C-O(286.5 eV)、C=O(288.1 eV)
O 1s:金屬氧化物(529-531 eV)、羥基/吸附水(531-533 eV)
離子濺射技術:Ar?束(0.5-4 keV)逐層剝離表面
深度分辨率:5-20 nm/分鐘(取決于濺射參數(shù))
方法:峰面積法(考慮傳輸函數(shù)校正)
誤差控制:重復測試相對標準偏差(RSD)≤5%
部件名稱 | 技術指標 | 典型型號示例 |
---|---|---|
X射線源 | Al Kα(1486.6 eV)或單色化微聚焦源 | Thermo Scientific K-Alpha? |
分析器 | 半球形電子能量分析器(CHA) | PHI VersaProbe Ⅲ |
探測器 | 多通道電子倍增器(MCD) | SPECS Phoibos 150 |
離子槍 | 低能電子中和槍+Ar?濺射槍 | Ulvac-Phi NanoTOF II |
證書編號:241520345370
證書編號:CNAS L22006
證書編號:ISO9001-2024001
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